美光与SK海力士市值先后跨过万亿美元门槛，股价随之明显上扬。

在人工智能浪潮推动下，存储芯片行业迎来价值重估，5月26日，美股芯片板块表现抢眼，美光科技单日暴涨超19%，市值突破万亿美元，成为全球第13家达成此里程碑的上市公司，次日，韩国SK海力士股价飙升11%，市值也首度突破万亿美元，瑞银大幅上调美光目标价至1625美元，预计其2027年HBM平均售价同比增长50%，DRAM供不应求格局将持续至2028年，行业结构性变革正取代传统周期，AI基础设施建设成为核心驱动力。

在人工智能浪潮席卷全球的背景下，存储芯片领域正经历一场前所未有的价值重估，5月26日，美国股市三大指数走势出现分化：道琼斯工业指数微跌0.23%，而标普500指数和纳斯达克综合指数分别上涨0.61%和1.19%，芯片板块表现格外抢眼,成为当天市场最亮眼的风景线。

具体来看，多家存储芯片制造商的股价集体攀升：闪迪涨幅超过7%，西部数据飙升逾8%，希捷科技也录得4%的涨幅，而最令人瞩目的当属美光科技——该公司股价单日暴涨超过19%，收于每股895.88美元，创下2011年以来的最强单日表现，这一涨幅直接推动美光科技的总市值突破万亿美元大关,使其跻身全球顶尖上市公司行列。

据统计，美光科技已成为全球第13家市值突破万亿美元的上市公司，此前已有英伟达、苹果、微软、台积电、博通等行业巨头率先达成这一里程碑，值得注意的是，在过去12个月里，美光科技的股价已经翻了8倍,显示出投资者对其未来前景的高度信心。

这股热潮并未止步于美国市场，次日（5月27日），亚太地区股市开盘即迎来一波涨势，日本日经225指数上涨1.2%，韩国KOSPI指数更是大涨2.42%，紧随美光科技之后，韩国存储芯片巨头SK海力士的股价盘中一度飙升11%，其市值也首度突破万亿美元大关，此前，韩国另一家龙头——三星电子，早已跨过这一市值门槛,进一步巩固了韩国在全球存储芯片产业中的主导地位。

此轮股价飙升的背后，最直接的催化剂来自华尔街，5月26日，瑞银集团发布了一份被业界称为“华尔街至今最强看涨”的研究报告，该行将美光科技的目标价从此前的535美元大幅上调至1625美元，这一数字意味着美光科技的潜在市值将攀升至1.8万亿美元，相比最新收盘价仍有约81%的上行空间，根据LSEG数据的统计，在覆盖美光科技的46家券商中,瑞银给出的1625美元目标价为最高。

报告还披露，美光科技在今年第一季度已成为机构投资者最为追捧的标的之一，约2440家机构披露了新建仓位，其中不乏洛克菲勒资本管理公司和施罗德集团等知名机构的身影，这表明,市场正在重新审视这家传统性存储芯片厂商的长期价值。

更深层次来看，美光科技等存储巨头的历史性市值突破，离不开人工智能带来的结构性变革，随着微软、谷歌、亚马逊、Meta等大型云计算企业持续加码AI基础设施建设，对高性能存储芯片的需求呈现出爆发式增长，美光科技公开表示，2026年的高带宽存储（HBM）芯片产能已全部被预订，供应远远满足不了需求，其下一代HBM4产品也已进入量产阶段,意味着该公司正在为更长周期的市场备战。

瑞银分析师Timothy Arcuri在报告中指出，美光科技不应再被视为传统的周期性存储公司，受DRAM和NAND价格涨跌波动所左右，而应逐步被认可为AI基础设施的核心受益者，在他看来，该公司的盈利持续性和长期业绩可见性已远超以往,结构性格局正在取代过去的价格周期。

具体预测方面，Timothy Arcuri表示：“随着长期协议在行业大部分领域已牢固建立，我们再次上调了2027至2029年的业绩预估，美光该期间的每股收益（EPS）有望稳定高于100美元，同期自由现金流总额将突破4000亿美元。”就在这一预期下，瑞银将美光2027年每股收益预测上调至155美元，2028年上调至167美元，即便假设2029年出现温和的下行周期,EPS依然能维持在100美元以上。

这种看好情绪不仅源于供给端的紧俏，也源自需求端的刚性驱动，据瑞银透露，大型云计算企业已提前锁定了未来约60%至70%的服务器DDR5供应。“超大规模云厂商越来越愿意用价格换取多年期的供应稳定性，并为未来部署的成本可预测性支付更高的溢价。”瑞银在报告中写道。

在AI芯片的核心组件之一——HBM领域，瑞银更是释放出强烈的乐观信号，该行大幅上调了HBM定价预期，预计美光HBM的平均售价在2027年同比增长50%，显著高于此前预测的35%，瑞银预计美光、三星和SK海力士将在2027年后重新建立HBM产品的定价溢价，从而扭转2025至2026年间因竞争激烈造成的价格压制，在此基础上，模型预测美光HBM出货量在2027年将增长约58%，对应业务收入有望达到约253亿美元，到2028年则有望接近450亿美元的里程碑，更为惊人的是，HBM业务的毛利率预计将升至75%左右,直逼甚至突破传统DRAM业务的盈利能力。

从更宏观的存储市场来看，瑞银判断DRAM供不应求的格局将持续至2028年第二季度，比此前预期的更为持久，NAND市场供需紧张的时间窗口也显着拉长，主因是三星、SK海力士以及美光在扩产节奏上保持克制,有意缓和供给端压力。

在技术创新的另一侧，SK海力士同样不让市场寂寞，5月26日，该公司宣布推出“iHBM”技术——通过在HBM封装内集成一种名为“ICE”的冷却元件，大幅降低芯片运行时的发热量，SK海力士计划将这一创新技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景中日益严苛的散热要求，从而进一步提升整体系统的稳定性与运行效率，这一技术突破,也为SK海力士拓展高端存储市场增添了重要砝码。